| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 14.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 420 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2650pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP16NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.38 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.38 - 14 A TO - 220 / I2SPAK / TO- 247齐纳 - Protecdet超网™ MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.38 - 14 A TO-220 /I2SPAK/TO-247 Zener - Protecdet SuperMESH⑩ MOSFET
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