| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 185 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOP-457 |
| 额定功率 | 0.56 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 功耗 | 0.7 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 150 @500mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 420 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 350 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
14 页 / 0.13 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160DS,115. 晶体管, BISS, 双路 PNP, -60V, -1A
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160DS,115, 双 PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 70 hFE
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
