| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 270 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 直流电流增益(hFE) | 350 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -900mA/-0.9A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 350 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -330mV/-0.33V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 270mW/0.27W Description & Applications| General description PNP low VCE(sat )Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency due to less heat generation Reduces Printed-Circuit Board (PCB) area required Cost-effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52 Applications Major application segments: Automotive、Telecom infrastructure、Industrial、Power management、DC-to-DC conversion、Supply line switching、Peripheral driver、Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)、 Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors) 描述与应用| 一般说明 PNP低VCE（饱和）突破性小信号（BISS）晶体管，采用SOT23（TO-236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料包装。 特点 低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 ？高集电极电流能力IC和ICM ？由于产生的热量少，高效率 ？降低印刷电路板（PCB）面积 中等功率晶体管的成本效益的替代？BCP52和BCX52 应用 主要应用领域： ？汽车，电信基础设施，？工业，电源管理，DC-DC转换，切换供电线路，外设驱动器，驱动器在低电源电压应用（如灯和LED），？感性负载驱动器（如继电器，蜂鸣器和电机）
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装
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NXP PBSS5160DS,115. 晶体管, BISS, 双路 PNP, -60V, -1A
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160DS,115, 双 PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 70 hFE
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