| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 6.9 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 6900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET PHT4NQ10T,135, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
NXP（恩智浦）
NXP PHT4NQ10LT,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V
NXP（恩智浦）
NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
NXP（恩智浦）
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V
Nexperia（安世）
N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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