类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-323-3 |
功耗 | 0.2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
最小电流放大倍数 | 200 @1mA, 5V |
额定功率(Max) | 200 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.2 mm |
宽度 | 1.35 mm |
高度 | 1 mm |
Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114YT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚
NXP(恩智浦)
NXP PDTA114EU,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114TT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114YU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP PDTA114YE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114TU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 UMT封装
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