集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 kΩ) • Simplification of circuit design • Reduces number of components and board space •100 mA output current capability 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻R1（典型值4.7kΩ） •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间 •100 mA输出电流能力
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
PDTC144E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23
Nexperia（安世）
双电阻器数字 NPN 晶体管，Nexperia### 数字晶体管，Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
NXP（恩智浦）
NXP PDTC144ET,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
NXP（恩智浦）
NXP PDTC144EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
Nexperia（安世）
PDTC144W 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia（安世）
NXP PDTC144WU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 UMT封装
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
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