| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-663 |
| 击穿电压 | 6.80 V |
| 针脚数 | 3 Position |
| 钳位电压 | 6.8 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.4V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 150W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 15A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Features • Double ESD protection diodes in SOT663 package • Uni-directional ESD protection of up to two lines • Max. peak pulse power: Ppp = 150 W at tp = 8/20 µs • Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 15 A • Low reverse leakage current: IRM < 1 nA • ESD protection > 30 kV • IEC 61000-4-2; level 4 (ESD) • IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 15 A at tp = 8/20 µs. 描述与应用| 特性 •在SOT663封装双ESD保护二极管 •单向ESD保护可至双线 •最大峰值脉冲功率：Ppp=150 W@tp= 8/20μs •低钳位电压：V（CL）R =20 V在IPP= 15 A •低反向漏电流：IRM<1 nA •ESD保护>30千伏 •IEC61000-4-2第4级（ESD） •IEC61000-4-5（浪涌）; IPP= 15 A@tp= 8/20μs
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
PESDxxxL2 系列，低电容双路双向 ESD 保护二极管，Nexperia低电容双向双路静电放电 (ESD) 保护二极管，采用超小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装，设计用于保护最多两条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V0S2BT 静电保护装置, TVS, 14 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V0S2UQ,115 二极管, TVS, SOT-663
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V0S2UQ 静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-663, 3 引脚
Nexperia（安世）
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia### 瞬态电压抑制器，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V0S2UAT,215 二极管, TVS, SOT-23
NXP（恩智浦）
NXP PESD5V0S2UAT 静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-23, 3 引脚
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