| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.10 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 550 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.806 W |
| 输入电容 | 140 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.10 A |
| 上升时间 | 2.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
Diodes（美台）
7 页 / 0.27 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
8 页 / 0.18 MByte
Diodes（美台）
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Zetex
ZXM61P03FTA P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.35ohm SOT-23 marking/标记 P03 低导通电阻 快速开关
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 0.35 ohm, 10 V, -1 V
Diodes Zetex（捷特科）
P 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZXM61P03F 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 350 mohm, 10 V, -1 V
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