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PHD55N03LTA,118
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PHD55N03LTA,118 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
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PHD55N03LTA,118 数据手册 (14 页)
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PHD55N03LTA,118 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻14 mΩ
功耗85 W
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)950pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)85W (Tc)
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PHD55N03LTA,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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PHD55N03LTA,118 数据手册

PHD55N03LTA,118 数据手册
NXP（恩智浦）
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