| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.9A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 12.8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.03Ω/Ohm @3.2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 8.3W Description & Applications| 描述与应用|
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
PHT6N03T N沟道MOSFET 30V 12.8A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 6N03T 低导通电阻/DMOS技术/
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