类型 | 描述 |
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引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOT-1118 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.03 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 510 mW |
阈值电压 | 700 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
NXP(恩智浦)
NXP PMDPB28UN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV
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