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PMXB120EPE
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PMXB120EPE 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:XDFN-3
描述:NXP  PMXB120EPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1.5 V
PDF文件:PMXB120EPE 数据手册 (15 页)引脚图在2 页Hot
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PMXB120EPE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装XDFN-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.1 Ω
功耗400 mW
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)309pF @15V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400mW (Ta), 8.3W (Tc)
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PMXB120EPE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMXB120EPE 数据手册

PMXB120EPE 数据手册
NXP（恩智浦）
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