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PMDPB58UPE,115
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PMDPB58UPE,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:uDFN-6
PDF文件:PMDPB58UPE,115 数据手册 (2 页)
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PMDPB58UPE,115 数据手册 (2 页)
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PMDPB58UPE,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装uDFN-6
极性P-CH
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
输入电容值(Ciss)804pF @10V(Vds)
额定功率(Max)515 mW
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PMDPB58UPE,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMDPB58UPE,115 数据手册

PMDPB58UPE,115 数据手册
NXP（恩智浦）
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