| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.83A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30v \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8v 最大漏极电流Id Drain Current| 830mA/0.83A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 560mW/0.56W Description & Applications| N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage. 描述与应用| N沟道μTrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术。 表面贴装封装 足迹比SOT23小40％ 低通态电阻n低阈值电压
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PMF400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV
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PMF400UN N沟道MOSFET 30v 830mA/0.83A SOT-323/SC-70 marking/标记 F3 快速开关/低功率损耗/极低的RDS
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