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PMGD8000LN
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PMGD8000LN 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-363
描述:NXP  PMGD8000LN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
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PMGD8000LN 数据手册 (12 页)
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PMGD8000LN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363
针脚数6 Position
漏源极电阻8 Ω
极性Dual N-Channel
功耗200 mW
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)125 mA
上升时间7 ns
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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PMGD8000LN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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PMGD8000LN 数据手册

PMGD8000LN 数据手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.22 MByte
PMGD8000LN 开发手册
NXP（恩智浦）
6 页 / 1.89 MByte

PMGD8000 数据手册

PMGD8000LN 数据手册
NXP（恩智浦）
NXP  PMGD8000LN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
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NXP（恩智浦）
PMGD8000LN 数据手册
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NXP（恩智浦）
PMGD8000LN - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
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