| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 165 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 功耗 | 1.1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 4.3A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 直流电流增益(hFE) | 550 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
15 页 / 0.28 MByte
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4021PT,215 , PNP 晶体管, 3.5 A, Vce=20 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4021NT,215 , NPN 晶体管, 4.3 A, Vce=20 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 115 MHz, 600 mW, 7 A, 550 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4021NT,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 165 MHz, 390 mW, 4.3 A, 100 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4021NT 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 165 MHz, 390 mW, 4.3 A, 550 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4021NX 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 115 MHz, 600 mW, 7 A, 550 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 95 MHz, 770 mW, 8 A, 550 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
Nexperia（安世）
双极晶体管阵列, NPN, 20 V, 2.3 W, 7.5 A, 300 hFE, SOIC
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