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PMV30UN2R
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PMV30UN2R 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:Nexperia（安世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:N沟道 VDS=20V VGS=900MV ID=4.2A P=490mW
PDF文件:PMV30UN2R 数据手册 (16 页)引脚图在3 页Hot
封装尺寸在11 页
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PMV30UN2R 数据手册 (16 页)
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PMV30UN2R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
功耗1 W
输入电容655 pF
漏源极电压(Vds)20 V
上升时间26 ns
输入电容值(Ciss)655pF @10V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)490mW (Ta), 5W (Tc)
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PMV30UN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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PMV30UN2R 数据手册

PMV30UN2R 数据手册
Nexperia（安世）
16 页 / 0.37 MByte
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