类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-CH |
功耗 | 490mW (Ta) |
阈值电压 | 400 mV |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.4A |
上升时间 | 23 ns |
输入电容值(Ciss) | 635pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 490 mW |
下降时间 | 12 ns |
耗散功率(Max) | 490mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
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206 页 / 0.21 MByte
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NXP PMV40UN2 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
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PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB
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NXP PMV40UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV
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