| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 280 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.40 A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 280 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 5.4A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
单 N-沟道 30 V 5000 mW 6.3 nC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-23
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 60 V, 0.3 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP（恩智浦）
NXP PMV45EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.5 V
NXP（恩智浦）
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 0.035 ohm, 10 V, 1.5 V
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