| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | Dual P-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents to 500 mA. 描述与应用| PNP通用放大器 这种装置是专为使用作为一般用途的需要集电极电流500 mA的电流放大器和开关而设计。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Siemens Semiconductor（西门子）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT2907A 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 1 W, -800 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP硅晶体管表面贴装 PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
ON Semiconductor（安森美）
PZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223/TO-261AA marking/标记 2907A 开关和放大
NXP（恩智浦）
NXP PZT2907A,115 单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PZT2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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