| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 75 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 800 mW |
| 增益频宽积 | 75 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 75 @1A, 2V |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 75 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.57 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 75MHz 表面贴装型 SOT-223
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PNP硅平面外延型晶体管 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
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ON SEMICONDUCTOR PZT751T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE
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