| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 50 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-223-4 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 1.5 W |
| 增益频宽积 | 50 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @30mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.57 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Package 描述与应用| PNP硅高压晶体管 特点 •无铅封装
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高电压 PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZTA92 单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 50 MHz, 1 W, -500 mA, 25 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PZTA92 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
Infineon（英飞凌）
PZTA92 PNP三极管 -300V -500mA/-0.5A 100MHz 40 -500mV/-0.5V SOT-223 marking/标记 PZTA92 高击穿电压
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) PZTA92 SC-73(SOT-223) PNP,Vceo=-30V,Ic=-200mmA
Nexperia（安世）
高电压晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
Siemens Semiconductor（西门子）
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