| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 55 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22.0 A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2670pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 250 V 45A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB50NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型“单一特征尺寸” POWER MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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