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QS6J1TR
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QS6J1TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:P-沟道 + P-沟道 1.25 W -20 V 340 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -TSMT -6
PDF文件:QS6J1TR 数据手册 (4 页)
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QS6J1TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-1.50 A
封装TSOT-23-6
通道数2 Channel
漏源极电阻0.31 Ω
极性P-Channel, Dual P-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)270pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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QS6J1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
宽度1.6 mm
工作温度150℃ (TJ)
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QS6J1TR 数据手册

QS6J1TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.04 MByte
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