| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.14 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 205 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22A |
| 上升时间 | 16.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1950pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 205 W |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 205W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.95 mm |
| 宽度 | 5.03 mm |
| 高度 | 21 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH22N60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH22N60N, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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