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EM6K1T2R
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EM6K1T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6
PDF文件:EM6K1T2R 数据手册 (4 页)封装尺寸在1 页
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EM6K1T2R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流100 mA
封装SOT-563-6
通道数2 Channel
漏源极电阻7 Ω
极性Dual N-Channel
功耗0.12 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)100 mA
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)13pF @5V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间80 ns
耗散功率(Max)150 mW
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EM6K1T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.6 mm
宽度1.2 mm
高度0.5 mm
工作温度150℃ (TJ)
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EM6K1T2R 数据手册

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EM6K1T2 数据手册

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N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6
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