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QS6K21TR
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QS6K21TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:QS6K21 系列 45 V 450 mOhm 1 A 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - TSMT-6
PDF文件:QS6K21TR 数据手册 (12 页)封装尺寸在11 页
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QS6K21TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻420 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗1.25 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)45 V
漏源击穿电压45 V
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)95pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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QS6K21TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not For New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.6 mm
高度0.95 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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QS6K21TR 数据手册

QS6K21TR 数据手册
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