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QS8M51TR
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QS8M51TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SMD-8
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2 A, 100 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:QS8M51TR 数据手册 (12 页)
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QS8M51TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SMD-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.24 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.5 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)2A/1.5A
输入电容值(Ciss)290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
工作温度(Max)150 ℃
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QS8M51TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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QS8M51TR 数据手册

QS8M51TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 0.58 MByte
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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QS8M51 数据手册

QS8M51TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2 A, 100 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V
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