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SPP11N80C3XKSA1
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SPP11N80C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  SPP11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SPP11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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引脚图
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SPP11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)
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SPP11N80C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流11.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.39 Ω
极性N-Channel
功耗156 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1600pF @100V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)156W (Tc)
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SPP11N80C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SPP11N80C3XKSA1 数据手册

SPP11N80C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.47 MByte
SPP11N80C3XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
SPP11N80C3XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
SPP11N80C3XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
SPP11N80C3XKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
SPP11N80C3XKSA1 其他参考文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.15 MByte

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INFINEON  SPP11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
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