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R5007FNX
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R5007FNX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:R5007FNX 数据手册 (16 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

R5007FNX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel
功耗43 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)7A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)450pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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R5007FNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
最小包装数量1000
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R5007FNX 数据手册

R5007FNX 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
16 页 / 2.95 MByte
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