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R6002END3TL1 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
封装:
TO-252-3
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
R6002END3TL1 数据手册
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R6002END3TL1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.8 Ω
功耗
26 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
65pF @25V(Vds)
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
26W (Tc)
R6002END3TL1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
R6002END3TL1 符合标准
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示例:
STM32F103
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