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R6030ENZ1C9
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R6030ENZ1C9 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:ROHM  R6030ENZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新
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R6030ENZ1C9 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.115 Ω
极性N-Channel
功耗120 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)2100pF @25V(Vds)
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)120W (Tc)
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R6030ENZ1C9 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
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R6030ENZ1C9 数据手册

R6030ENZ1C9 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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R6030ENZ1C9 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  R6030ENZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新
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