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GT60M303(Q)
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GT60M303(Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-3
PDF文件:GT60M303(Q) 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
GT60M303(Q) 数据手册 (6 页)
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GT60M303(Q) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3
击穿电压(集电极-发射极)900 V
额定功率(Max)170 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)170000 mW
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GT60M303(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Bulk
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GT60M303(Q) 数据手册

GT60M303(Q) 数据手册
Toshiba（东芝）
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