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R8002ANX
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R8002ANX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
PDF文件:R8002ANX 数据手册 (16 页)典型应用电路图在15 页
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R8002ANX 数据手册 (16 页)
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R8002ANX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻3.3 Ω
极性N-Channel
功耗36 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)2A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)210pF @25V(Vds)
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)35W (Tc)
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R8002ANX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
最小包装数量1000
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R8002ANX 数据手册

R8002ANX 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
16 页 / 0.84 MByte
R8002ANX 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 0.87 MByte

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