额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 27.38V \---|--- 平均Typ.| 30V 最大max.| 31.04V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 200Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.1uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| • Type RD4.7SL to RD39SL Series are 2 PIN Super Mini Mold Package zener diodes possessing an allowable power dissipation of 200 mW featuring low noise and sharp breakdown characteristic. They are intended for use in audio equipment, instrument equipment. • Low Noise • Sharp Breakdown characteristic. • Vz: Applied E24 standard. •Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc. 描述与应用| •RD4.7SL至RD39SL齐纳二极管功耗为200 mW，具有低噪音和尖锐的击穿特性。它们的目的是用于在音频设备，仪器设备。 •低噪声 •夏普击穿特性。 •VZ：：E24标准应用。 •恒定电压，恒定电流，波形帆船，浪涌吸收器等电路
NEC（日本电气）
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NEC（日本电气）
RD30S 稳压二极管 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
NEC（日本电气）
RD30M 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOT23-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
NEC（日本电气）
RD30SL 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 N1 301 低噪声/夏普击穿特性/恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi（三菱）
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
Mitsubishi（三菱）
硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 30W Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
NEC（日本电气）
RD30UM 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD523/0603-30V marking/标记 B 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi（三菱）
硅MOSFET功率晶体管， 520MHz的， 30W Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
NEC（日本电气）
RD30P 稳压二极管 30V 1W SOT89-30V marking/标记 30 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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