额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 28V
●\---|---
●平均Typ.| 30V
●最大max.| 32V
●误差Tolerance|
●最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 80Ω/ohm
●最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 2uA
●最大耗散功率PdPower dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| • Type RD2.0UM to RD39UM Series are 2-pin Ultra Super Mini Mold Package zener diodes possessing an allowable power dissipation of 150 mW. • Sharp Breakdown characteristics • VZ; Applied E24 standard • Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform clipper, Surge absorber, etc
●描述与应用| •RD2.0UM至RD39UM系列齐纳二极管功耗为150 mW。 •VZ;应用E24标准 •恒定电压,恒定电流,波形剪,浪涌吸收器等电路
NEC(日本电气)
8 页 / 0.06 MByte
NEC(日本电气)
RD30S 稳压二极管 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
NEC(日本电气)
RD30M 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOT23-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
NEC(日本电气)
RD30SL 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 N1 301 低噪声/夏普击穿特性/恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi(三菱)
符合RoHS指令,硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
Mitsubishi(三菱)
硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
NEC(日本电气)
RD30UM 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD523/0603-30V marking/标记 B 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi(三菱)
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
NEC(日本电气)
RD30P 稳压二极管 30V 1W SOT89-30V marking/标记 30 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
Renesas Electronics(瑞萨电子)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件