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REF5030IDGKR 数据手册 (27 页)
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REF5030IDGKR 技术参数、封装参数

REF5030IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它

REF5030IDGKR 数据手册

TI(德州仪器)
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152 页 / 5.85 MByte
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REF5030 数据手册

TI(德州仪器)
低噪声、极低漂移、高精度电压基准
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF5030AIDGKT  电压基准, 精密, 低噪, 系列 - 固定, REF5030系列, 3V, VSSOP-8
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
TI(德州仪器)
REF5030AQDRQ1 编带
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
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