| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TSMT-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.012 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.5 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2700pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 550 mW |
| 下降时间 | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 550mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.012 ohm, -10 V, -2.5 V
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RQ1E070RP P 沟道场效应管 -30V -7A TSMT8 代码 UE 较低的导通电阻 4 v驱动。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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