| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 70.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 150 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 14 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 70.0 A |
| 上升时间 | 137 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2250pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 24 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP70N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
70A ， 30V ，额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET 70A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
70A ， 60V ， 0.014 Ohm的N通道功率MOSFET 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
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