| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | CST-3 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 80mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -80mA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.213 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) • Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. • Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost. • Complementary to RN1107ACT to RN1109ACT Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺） •超小型封装（CST3）是适用于额外的高密度制造。 •将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。 •减少零件计数使能更加紧凑的设备制造和节省组装成本。 •互补RN1107ACT的到RN1109ACT 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
RN2107 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YH 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
Toshiba（东芝）
RN2107MFV 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.15W/150mW SOT-723/VESM 标记YH 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
Toshiba（东芝）
RN2107ACT 带阻尼PNP三极管 -50V -80mA 80 0.1W/100mW CST3 标记D6 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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