RN2502 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -0.1A/-100MA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 50 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | 特点•东芝晶体管的硅PNP外延式（PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）•包括两个设备中的SMV（5导线的超级迷你型）•借助内置的偏置电阻•简化电路设计•减少了部件数量和制造工艺•互补RN1501 RN1506应用•开关应用•逆变器电路应用•接口电路的应用•驱动器电路应用 技术文档PDF下载 | 在线阅读