| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.7A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| -700mA/-0.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.3Ω @-350mA,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6V--1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.4 Ω (max) (VGS = −4 V) Ron = 0.6 Ω (max) (VGS = −2.5 V) • Low gate threshold voltage 描述与应用| 高速开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =0.4Ω（最大值）（VGS=-4 V） RON =0.6Ω（最大值）（VGS=-2.5 V） •低栅极阈值电压
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SSM3J01F P沟道MOS场效应管 -30V -0.7A 0.3ohm SOT-23 marking/标记 DE 高速开关 低导通电阻
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电源管理开关高速开关应用小包装低导通电阻RON =0.4Ω（最大）（@ VGS=-4 V）罗恩= 0.6Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）低栅极阈值电压
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