| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | ES-6 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 0.213 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 0.213 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz/200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 100mW/0.1W Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP
● NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowers assembly cost. Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. 描述与应用 | 特点 •东芝硅PNP晶体管NPN外延型（PCT工艺）（偏置电阻晶体管） •两个设备都纳入一个极端超迷你（6针）封装。 •将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少部件数量，能够制造更加紧凑的设备和降低装配成本。 应用 •开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用。
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
RN4987 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记6H 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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RN4987FE NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=80 R1=10KΩ R2=47KΩ 100mW/0.1W SOT-563/ES6 标记6H 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Toshiba（东芝）
双极晶体管 - 预偏置 10K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP
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