2SA2058 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~500 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -190mV/-0.19V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar type Applications High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Features • High DC current gain. • Low collector-emitter saturation voltage. • High-speed switching. 描述与应用| PNP硅外延平面型 应用 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 特点 •高直流电流增益。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。