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RSD221N06TL
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RSD221N06TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:RSD221N06TL 数据手册 (15 页)典型应用电路图在14 页
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焊盘图
引脚图
产品图
RSD221N06TL 数据手册 (15 页)
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RSD221N06TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-Channel
功耗0.85 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)22A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)1500pF @10V(Vds)
下降时间65 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)850mW (Ta), 20W (Tc)
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RSD221N06TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RSD221N06TL 数据手册

RSD221N06TL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 0.51 MByte
RSD221N06TL 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 0.4 MByte

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