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QS8J5TR
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QS8J5TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SMD-8
描述:双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 5 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -2.5 V
PDF文件:QS8J5TR 数据手册 (13 页)
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QS8J5TR 数据手册 (13 页)
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QS8J5TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SMD-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.028 Ω
极性Dual P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)5A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @10V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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QS8J5TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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QS8J5TR 数据手册

QS8J5TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 0.47 MByte
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 2.36 MByte

QS8J5 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 5 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -2.5 V
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