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RSU002N06T106
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RSU002N06T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-323
PDF文件:RSU002N06T106 数据手册 (6 页)
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RSU002N06T106 数据手册 (6 页)
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RSU002N06T106 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-323
极性N-CH
功耗200mW (Ta)
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)0.25A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)15pF @25V(Vds)
额定功率(Max)200 mW
下降时间28 ns
耗散功率(Max)200mW (Ta)
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RSU002N06T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RSU002N06T106 数据手册

RSU002N06T106 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.15 MByte
RSU002N06T106 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.15 MByte
RSU002N06T106 产品封装文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.07 MByte

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