最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.25A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.9Ω @-250mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features Low On-resistance Space saving small surface mount package (TSMT3) 4V drive 描述与应用| 低导通电阻 节省空间的小型表面贴装封装（TSMT3） 4V驱动器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET
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RSU002P03F P沟道MOS场效应管 -30V 250mA 0.9ohm SOT-323 marking/标记 WP 低导通电阻 4V驱动
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