类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 4.50 A |
封装 | TSOT-23-6 |
漏源极电阻 | 420 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.25 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.50 A |
上升时间 | 31 ns |
输入电容值(Ciss) | 540pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.25 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 4.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
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RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM
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2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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ROHM RTQ045N03FRATR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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