类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 75 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
极性 | NPN |
功耗 | 1 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 90 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
最小电流放大倍数 | 80 @1A, 2V |
最大电流放大倍数 | 300 |
额定功率(Max) | 1 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 90V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 25~80 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 50mV~600mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 描述与应用| NPN低饱和晶体管 这些设备的设计与高电流增益和 低饱和电压与集电极电流高达3A的连续。
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